受到DRAM厂的DDR及DDR2产能调配,以及DRAM大厂的DRAM及NAND快闪记忆体的产能排挤等因素影响,四月以来DRAM现货价格明显向上拉高,其中又以DDR价格上涨动力强,有效测试(eTT)256MB DDR由1.68美元上涨到2.41美元,涨幅超过40%,昨天收市价为2.37美元。
不过NAND快闪记忆体价格却持续疲弱,不仅现货价昨日全面走跌,四月合约价更出现重挫三五%以上的崩跌现象。集邦科技表示,DRAM在供给不足市况中,价格仍会惊惊涨,虽然第二季是传统个人电脑市场淡季,但是DRAM价格走势却是异常强劲,除了英特尔出清旧款865晶片组库存,刺激DDR市场需求成长外,DRAM厂季大量将DDR产能转向生产DDR2,已在近期造成DDR供给量严重吃紧,所以256MB DDR近二周内涨势强劲,现货价已拉高至2.30美元以上,现货价与合约价间也形成代表景气多头的黄金交叉。
被视为未来主流的DDR2,近期来自OEM电脑大厂的需求强劲,但现货市场的需求却还未被刺激出来。南亚科技副总经理白培霖说,OEM电脑大厂已大量采用英特尔支援DDR2的新晶片平台,对DDR2的需求量会愈来愈大,但对价格敏感的现货市场,则要等到中低价位的超微支援DDR2的AM2平台上市后,市场需求才会转强。由于国内外DRAM厂今年的位元成长率远低于历史平均水准,DDR2合约价未来大涨机率很高。
力晶持续控制出货,DRAM累计惊涨40%
更新时间: 2006-04-27 08:46:02来源: 粤嵌教育浏览量:1236
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